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FD101单晶硅芯片是一款用MEMS工艺制造的测力传感器芯片。该芯片利用压阻原理测量极其微小的力,是一款专为各种类型的极微小的力的测量而专门开发的单晶硅芯片。
FD101芯片上有四个压阻应变电阻,这些电阻的取向相互垂直,因此该芯片可实现所有类型的力的测量。例如:把单个芯片粘贴在弯曲梁上,可以组成半桥测量电路。如果把两个芯片分别粘贴在弯曲梁的上、下表面,则可构成全桥测量电路。在把该芯片粘贴在拉伸或压缩梁上时,就可以形成全桥测量电路。此外,把该芯片粘贴在剪切梁或扭力梁上,也可以形成全桥测量电路,用于测量剪切力或扭矩。
FD101芯片上的惠斯通电桥采用开桥电路结构,引出 5 个电极,便于用户进行零点失调的调整与零点温度补偿。该芯片的电气接口的标准是裸电极,但可以根据用户需求在电极上焊金丝引线。芯片不含信号调理电路,因此输出信号是惠斯通电桥直接输出的mV信号。
基于MEMS工艺,FD101 芯片尺寸微小,二维尺寸仅为1.3×1.3mm,厚度为0.8mm。 FD101可用于测量极微小的力(微牛顿),并适合微小尺寸传感器的大批量生产。
应用领域:
技术指标:
参数
单位
技术指标
测量范围
με
5~500
安全过载
%fs
200
极限过载
%fs
400
输出灵敏度
mV/V
≥25
激励电压
Vdc
5 (典型值),或2~10Vdc范围内任意电压
激励电流
mA
1 (典型值),或0.5~2.5mA范围内任意电流
零点输出
mV/V
≤ ±8.5
非线性 (NL)
%fs
≤ ±0.5
迟滞性 (HY)
%fs
≤ ±0.15
重复性 (RP)
%fs
≤ ±0.15
长期稳定性
%fs/年
≤ ±0.2
桥路电阻
kΩ
2.4±0.2
储存温度范围
°C
-55~ +80
工作温度范围
°C
-55~ +80
桥路电阻温度系数 (TC)
%R/°C
0.11±0.02
零点温漂
%fso/°C
≤ ±0.08
灵敏度温漂
%fso/°C
≤ |-0.2|
零点热迟滞
%fso/°C
≤ ±0.15
电气接口
裸焊盘 (标准),带金丝引线
外形尺寸
mm
1.3 x 1.3 x 0.1